IBM e Samsung demonstram que chips de 5 nm são possíveis

4 de setembro de 2017

Tecnologia de 5 nanômetros

Uma parceria da IBM, Samsung e da fabricante de semicondutores Globalfoundries, desenvolveu o primeiro processo em escala industrial que deverá viabilizar a construção de processadores com transistores de silício de 5 nanômetros (nm).

Em menos de dois anos desde o desenvolvimento de um chip de teste de 7 nm, contendo 20 bilhões de transistores, a parceria abre o caminho para acomodar 30 bilhões de transistores em um chip do tamanho de uma unha.

O avanço consiste na viabilização de uma técnica conhecida como “nanofolhas de silício” – ou nanolâminas de silício. Essas nanofolhas funcionam como a estrutura do transístor, em vez da arquitetura padrão chamada FinFET – ou transístor 3D -, que é o modelo atualmente utilizado pela indústria de semicondutores, incluindo a tecnologia de 7 nm.

Tecnologia de 5 nm é possível

A tecnologia das nanolâminas de silício como base para os transistores prova que chips de 5 nm são possíveis – vale dizer, os chips de 5 nanômetros ainda não estão prontos, mas, com a viabilização da tecnologia básica, eles não devem estar muito longe no futuro.

Em comparação com a tecnologia de ponta de 10 nm, já disponível no mercado, uma tecnologia 5 nm baseada em nanolâminas promete oferecer uma melhoria de desempenho de até 40% considerando o mesmo gasto de energia, ou 75% de economia de energia em desempenho correspondente.

Engenheiro mostra pastilha fabricada usando a nova tecnologia de nanolâminas de silício, que deverá viabilizar a fabricação de chips com transistores de 5 nanômetros.

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